




实现晶体的外延生长。这种技术可以生长si、gaas、gaalas、gap等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层,用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明,成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法,1200液相报价,被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延,反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。

正相柱活化流程:
2.1 保存溶剂为正相溶剂时:
若使用正相溶剂做流动相,可用正相流动相冲洗20倍体积。一般先用冲洗50倍体积,鸡西1200液相,可用0. 2ml/min流速,再用流动相(/水)平衡50倍体积。
2.2 保存溶剂为反相体系时:
若使用反相体系做流动相,使用反相溶剂冲洗20倍体积后即可使用。若使用正相体系做流动相先用冲洗50倍体积,1200液相供应,可用0. 2ml/min流速,再用正相流动相平衡50倍体积。

快进样速度:1000μl/min
样品粘度范围:0.2~50cp
ph 范围:1.0~9.5
选配控温组件(g1330b):控温范围 4~40℃,1℃步进
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