二手1200液相设备厂家-二手1200液相设备-苏州科鲁斯特

1.1 单元泵（g1310a）

流速范围：0.001~10.0ml/min， 0.001ml/min 步进

压力范围：0~40 mpa（0~400bar，二手1200液相设备价格，0~5880psi），<5ml/min；

0~20 mpa（0~200bar，0~2950psi），0~10ml/min

功能扩展：可升级成为四元泵

1.2 二元泵（g1312a/b）

---压泵头集成于同一组件中，大限度减小系统---体积，并---佳梯度混合准确

度及精密度。

流速范围：0.001~5.0ml/min，二手1200液相设备， 0.001ml/min 步进

操作压力：

g1312a 0~40 mpa (0~400 bar， 0~5880psi)

g1312b 0~60 mpa (0~600 bar， 0~8700psi)

梯度组成精密度：<0.15% rsd

梯度组成准确度：±0.5%

梯度---体积：

g1312a 180~480μl，600~900μl 带混合器 (与反压相关)

g1312b 120μl

功能扩展：在线真空脱气机，溶剂选择阀。

1. 溶剂输送系统（单元泵、二元泵、四元泵）相同指标

串联双柱塞往复泵，二手1200液相设备供应，伺服控制主动入口阀， 可变冲程（20μl～100μl）设计；用户

自主溶剂压缩因子设置，---在不同流速及不同流动相组成的佳流速稳定性。自动柱塞清

洗装置，有效防止高盐浓度流动相对柱塞的磨损，实时维护泵的使用性能。

流速精密度：<0.07%rsd 或≤0.02min sd

流速准确度：±1%或 10ul/min

压力脉动：< 1%

ph 范围：1.0~12.5

实现晶体的外延生长。这种技术可以生长si、gaas、gaalas、gap等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层，用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1]  。液相外延由尼尔松于1963年发明，二手1200液相设备厂家，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。





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