科鲁斯特测控科技-淮南二手1200液相设备

控温范围：

  g1316a 室温下 10℃~80℃，宏命令可控制 90℃

  g1316b 室温下 10℃~100℃

控温速率：室温加热 40℃，5min；40℃降温 20℃，10min

控温精度：±0.15℃

控温准确度：±0.5℃

柱容量：30cm×3

内体积：左控温模块 3μl，右控温模块 6μl；

阀切换功能：

  g1316a 标准型/微型 2ps/6pt 阀或标准型 2ps/10pt 阀

  g1316b 标准型/微型 2ps/6pt 阀或微型 2ps/10pt

功能扩展（用于快速液相色谱，g1316b）：

  附加低扩散热交换器，并具有柱后降温功能，---快速检测时基线平稳。

glp 性能：柱识别器记录色谱柱的使用次数及使用方法

实现晶体的外延生长。这种技术可以生长si、gaas、gaalas、gap等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层，用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1]  。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，淮南二手1200液相设备，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，二手1200液相设备哪里有，反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。





液相外延技术(liquid phase epitaxy，简称lpe)1963年由nelson等人提出，其原理是:以低熔点的金属(如ga、in等)为溶剂，以待生长材料(如ga、as、al等)和掺杂剂(如zn、te、sn等)为溶质，使溶质在溶剂中呈饱和或过饱和状态。通过降温冷却使石墨舟中的溶质从溶剂中析出，在单晶衬底上定向生长一层晶体结构和晶格常数与单晶衬底足够相似的晶体材料，使晶体结构得以延续。





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