lpe的硅外延层，以其---的电学、光学及其生长特性，而在cvd无法胜任的领域应用前景---.目前，取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1] .场控制器件：cvd在硅器件的埋结制造中，1260液相，因自掺杂而出现埋层尺寸增加，密排栅极叉指制造也受到---影响，而lpe因其可以消除自掺杂，而在这方面得到应用，尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造，其优点更为明显 [1] .
可兼容常规和超液相色谱：1260 infinity ii 四元泵和 1260 infinity 二元泵能够在高 600 bar 的压力下运行，非常适合用于 infinitylab poroshell 120 色谱柱分析型和半制备型纯化：1260 infinity ii 四元泵的宽流速范围（高 10 ml/min）完全支持标准应用和半制备型应用快速、的梯度：1260 infinity ii 二元泵是使用 lc/ms 以及仅 uv 的系统实现快速而的梯度的---择
太阳能电池(solar cells，1260液相供应商，sc)：在sc制造中，一个---的既矛盾又相互制约的问题是:要求外延层不能太厚，1260液相价格，以免光生载流子在到达表面之前复合太多，1260液相怎么样，但又不能太薄，以---足够的光吸收.目前商业生产的sc发射极厚达250—400μm，是用硅体单晶或多晶硅制成，因而材料的成本就占了很大的比重，为降低成本，在廉价的衬底如硅片、玻璃、陶瓷上液相外延一层10—50μm的高的硅薄。
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