




控温范围:
g1316a 室温下 10℃~80℃,宏命令可控制 90℃
g1316b 室温下 10℃~100℃
控温速率:室温加热 40℃,5min;40℃降温 20℃,10min
控温精度:±0.15℃
控温准确度:±0.5℃
柱容量:30cm×3
内体积:左控温模块 3μl,右控温模块 6μl;
阀切换功能:
g1316a 标准型/微型 2ps/6pt 阀或标准型 2ps/10pt 阀
g1316b 标准型/微型 2ps/6pt 阀或微型 2ps/10pt
功能扩展(用于快速液相色谱,1200液相设备怎么样,g1316b):
附加低扩散热交换器,1200液相设备好不好,并具有柱后降温功能,---快速检测时基线平稳。
glp 性能:柱识别器记录色谱柱的使用次数及使用方法

仪器控制及数据处理系统 (agilent chemstation)
安捷伦的化学工作站是真正---的四级仪器控制软件;
参数输入:仪器控制参数,数据采集及计算处理参数的设定;
报告:内置多种报告格式,包头1200液相设备,可自动生成系统适应性报告、峰纯度报告、光谱检索报告等;
用户也可编辑个性化的报告模板;
早期维护预警(emf):提供消耗元件累计使用情况,以便及时进行系统预防性维护;
安装验证(iq):仪器软、硬件的自动;
电子日志:实时记录仪器使用操作情况,随时查阅仪器状态。
工作条件:
工作电压:220+5% v
环境温度: 4~55°c
环境湿度: <95%相对湿度(不冷凝)

实现晶体的外延生长。这种技术可以生长si、gaas、gaalas、gap等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层,用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明,成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法,被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延,反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。

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