




其中倾斜法是在生长开始前,使石英管内的石英容器向某一方向倾斜,吕梁二手1200,并将溶液和衬底分别放在容器内的两端;垂直法是在生长开始前,将溶液放在石墨坩锅中,而将衬底放在位于溶液上方的衬底架上;滑舟法是指外延生长过程在具有多个溶液槽的滑动石墨舟内进行。在外延生长过程中,可以通过四种方法进行溶液冷却:平衡法、突冷法、过冷法和两相法。

在线真空脱气机(g1322a/g1379b)
四通路在线真空膜过滤技术,内置真空泵,压力传感器,实时监控真空腔压力变化,保
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内体积:每一通路 12ml (g1322a);1.0ml(g1379b)
ph 耐受范围:1~14

实现晶体的外延生长。这种技术可以生长si、gaas、gaalas、gap等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层,用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明,成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法,被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延,反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。

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