实现晶体的外延生长。这种技术可以生长si、gaas、gaalas、gap等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层，用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。
其中倾斜法是在生长开始前，使石英管内的石英容器向某一方向倾斜，二手1200，并将溶液和衬底分别放在容器内的两端；垂直法是在生长开始前，将溶液放在石墨坩锅中，而将衬底放在位于溶液上方的衬底架上；滑舟法是指外延生长过程在具有多个溶液槽的滑动石墨舟内进行。在外延生长过程中，二手1200价格，可以通过四种方法进行溶液冷却：平衡法、突冷法、过冷法和两相法。
多波长紫外检测器（g1365b/c）
直线形的光路设计，大限度减少光传播过程的能量损失，---检测灵敏度。所有光学
元件均置于精密的温度控制，二手1200，完全避免温度波动引起的基线抖动。多种尺寸的流通池，满足
不同流速范围和检测灵敏度的需求。
光源：灯和钨灯
波长范围：190～950nm
狭缝宽度：1、2、4、8、16nm
光谱：停流扫描
实时信号：g1365b 同时输出 5 个实时信号
g1365c 同时输出 8 个实时信号
波长精度：1nm，内置氧化钬滤光片进行自动波长校正
基线噪音：±1.0×10-u（254nm 和 750nm， 1ml/min ）
基线漂移：2×10-3au/h at 254nm （1ml/min ）
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