lpe的硅外延层，以其---的电学、光学及其生长特性，而在cvd无法胜任的领域应用前景---.目前，取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1] .场控制器件：cvd在硅器件的埋结制造中，因自掺杂而出现埋层尺寸增加，1260液相设备，密排栅极叉指制造也受到---影响，而lpe因其可以消除自掺杂，而在这方面得到应用，尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造，其优点更为明显 [1] .
太阳能电池(solar cells，sc)：在sc制造中，一个---的既矛盾又相互制约的问题是:要求外延层不能太厚，以免光生载流子在到达表面之前复合太多，台湾1260液相设备，但又不能太薄，1260液相设备哪里有，以---足够的光吸收.目前商业生产的sc发射极厚达250—400μm，是用硅体单晶或多晶硅制成，因而材料的成本就占了很大的比重，为降低成本，在廉价的衬底如硅片、玻璃、陶瓷上液相外延一层10—50μm的高的硅薄。
技术参数：自动进样器：样品瓶容量：可达768瓶，另加10个2ml瓶，另加10个2ml瓶进橛量：0.1-100ul（标准）---1500ul的多次吸液功能所有自动进样器的度：一般＜0.5（5-100ul进样量）恒温自动进样器：温度控制范围：从4℃-40℃可设定1℃agilent 1200系列柱温箱温度设定范围：室温下10℃至80℃温度稳定性：±0.15℃柱容量：30cm三根柱agilent 1200系列可变波长检测器短期噪声：±0.75×10-5，254nm波长范围：190-600nm
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