实现晶体的外延生长。这种技术可以生长si、gaas、gaalas、gap等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层，用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，二手1200液相设备哪里好，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。
正相柱活化流程：
2.1 保存溶剂为正相溶剂时：
若使用正相溶剂做流动相，可用正相流动相冲洗20倍体积。一般先用冲洗50倍体积，可用0. 2ml/min流速，再用流动相(/水)平衡50倍体积。
2.2 保存溶剂为反相体系时：
若使用反相体系做流动相，使用反相溶剂冲洗20倍体积后即可使用。若使用正相体系做流动相先用冲洗50倍体积，可用0. 2ml/min流速，贵州二手1200液相设备，再用正相流动相平衡50倍体积。
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真空维持：
g1322a 自动监测真空状态，真空降低，自动启动真空泵，有效维持真空度。
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大流速：每一通路 10ml/min（g1322a）；5.0ml/min（g1379b）
内体积：每一通路 12ml （g1322a）；1.0ml（g1379b）
ph 耐受范围：1~14
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