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lpe的硅外延层，以其---的电学、光学及其生长特性，而在cvd无法胜任的领域应用前景---.目前，取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1] .场控制器件：cvd在硅器件的埋结制造中，二手1260液相设备价格，因自掺杂而出现埋层尺寸增加，二手1260液相设备报价，密排栅极叉指制造也受到---影响，而lpe因其可以消除自掺杂，而在这方面得到应用，尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造，其优点更为明显 [1] .
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