lpe的硅外延层,以其---的电学、光学及其生长特性,而在cvd无法胜任的领域应用前景---.目前,取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1] .场控制器件：cvd在硅器件的埋结制造中,因自掺杂而出现埋层尺寸增加,密排栅极叉指制造也受到---影响,而lpe因其可以消除自掺杂,而在这方面得到应用,尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造,其优点更为明显 [1] .
1、进样量范围：
0.1 – 900μl，增量为 0.1μl （增量为 1μl）
使用多次抽取升级工具包时（需要改动硬件）达 1800μl
2、精度：
5-2000 μl 内，峰面积精度一般 ＜ 0.5 % rsd
2000 – 5000 μl内，峰面积精度一般 ＜ 1 % rsd
1 – 5 μl内，峰面积精度一般 ＜ 3 % rsd
可变体积
3、样品黏度范围：0.2 ~ 5 cp
4、样品容量：
1 个样品盘上 100 ×2 ml 样品瓶，
1/2 盘上 40 ×2 ml 样品瓶
1/2 盘上 15 ×6 ml （安捷伦样品瓶）
色谱分析的目的是将样品中各组分彼此分离。组分要达到完全分离，两峰间的距离必须足够远，两峰间的距离是由组分在两相的分配系数决定的，即色谱过程的热力学性质有关。但是两峰间虽有一定的距离，如果每个峰都很宽，以至彼此重叠，还是不能分开。这些峰的宽或窄是由组分在色谱柱中传质和扩散行为决定的，即与色谱过程中的动力学性质有关。
